您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDD6606

FDD6606 发布时间 时间:2025/7/1 7:07:36 查看 阅读:10

FDD6606是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速开关特性,非常适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等领域。
  这款MOSFET以其高效率和可靠性著称,能够有效减少功率损耗并提高系统的整体性能。同时,FDD6606封装小巧,便于集成到空间受限的设计中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:7nC
  工作结温范围:-55℃至150℃
  封装形式:SOT-23

特性

1. 低导通电阻设计,有助于降低功耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 小型化封装(SOT-23),节省PCB空间。
  4. 高可靠性和稳定性,可在较宽的工作温度范围内正常运行。
  5. 内部结构优化以提供更高的电流承载能力。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料制造。

应用

1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. 便携式电子设备中的负载开关。
  3. 直流电机驱动与控制。
  4. 电池保护系统中的过流保护元件。
  5. LED驱动器及音频放大器中的功率级元件。
  6. 各类消费类电子产品中的小型化功率管理方案。

替代型号

FDS6606, FDN6606

FDD6606推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDD6606资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • FDD6606
  • 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 阅览

FDD6606参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 17A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)