时间：2025/5/23 0:50:54
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FDD6296 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5040-8 封装形式。它主要应用于需要高效能、低导通电阻的场合，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理等场景。该器件具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速的开关性能，非常适合在高频应用中使用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：8nC
输入电容：150pF
反向恢复时间：10ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDD6296 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度和小的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，提升器件的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保设计。
5. 具有良好的热稳定性和电气性能，适应多种复杂的工作环境。
6. 小型封装尺寸，节省 PCB 空间。
FDD6296 广泛用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率转换。
2. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 电池保护和管理系统中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输。
6. 各种便携式电子设备中的高效节能设计。
FDS6680
FDP5500
IRLML6402
