时间：2025/5/13 17:42:40
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FDD5N50UTF是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的应用中。这种MOSFET以其低导通电阻和高击穿电压而闻名，能够承受高达500V的漏源极电压，同时提供较低的导通损耗。
漏源极电压(Vds)：500V
连续漏极电流(Id)：5A
栅源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：3.4Ω（最大值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：98W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
存储温度范围(Tstg)：-55℃至+175℃
FDD5N50UTF具备优秀的电气性能，适合于高频开关应用。其主要特性包括：
1. 高击穿电压（500V），确保在高压环境下的可靠性。
2. 低导通电阻（3.4Ω），降低功率损耗。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下工作。
5. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电路中。
6. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 各类工业设备中的高压开关元件。
5. LED驱动器以及其他需要高效功率管理的场景。
IRF540N
STP55NF06
FDP5N50
