时间：2025/4/28 12:48:08
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FDD5690是一款N沟道增强型MOSFET场效应晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效能功率控制的场景中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够显著提高系统效率并降低功耗。
这款MOSFET具有出色的热性能和电气特性，非常适合用于消费电子、工业设备以及汽车电子等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：32A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：48nC
输入电容：1780pF
总电容：525pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中可以减少能量损耗。
2. 高击穿电压，保证了其在复杂电路环境下的稳定性和可靠性。
3. 快速开关速度，有助于提升整体系统的效率并降低电磁干扰。
4. 具有较强的抗雪崩能力和热稳定性，能够在极端条件下正常工作。
5. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电路板上。
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 各类电机驱动电路中的功率控制器件。
3. DC-DC转换器的核心功率元件。
4. 电池保护电路中的过流保护元件。
5. 汽车电子中的负载开关和继电器替代方案。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
FDP5600
FDS6680
IRFZ44N
