时间：2025/5/15 14:29:19
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FDD5670是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
其设计旨在提高效率并降低功耗，适用于多种工业及消费电子应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
总栅极电荷：55nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃至175℃
FDD5670具备低导通电阻的特点，可显著减少传导损耗，提升整体系统效率。
该器件还拥有出色的热性能和高可靠性，能够承受较长时间的高负载运行。
其快速开关特性有助于降低开关损耗，并支持高频操作，从而减小外围元件尺寸，优化电路设计。
FDD5670在高温环境下仍能保持稳定的性能表现，适合对温度敏感的应用场景。
该芯片主要应用于高效能开关电源、电机控制驱动、负载开关、续流二极管替代以及DC-DC转换器中。
其高电流处理能力和低导通电阻特别适合需要大功率输出的场合，例如工业设备、通信电源、电动汽车充电桩等。
此外，它也可用于消费类电子产品中的电源管理模块，如笔记本适配器或平板充电器。
IRFZ44N
STP40NF06
FDP5670
