时间：2025/4/29 16:12:57
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FDD4141是一种高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，能够有效提高电路效率并降低功耗。
它采用TO-220封装形式，便于散热设计和安装。FDD4141以其卓越的电气性能和可靠性，在工业控制、消费电子以及汽车电子领域中得到了广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：27A
导通电阻：3.5mΩ
总栅极电荷：49nC
输入电容：1860pF
输出电容：103pF
反向传输电容：28pF
工作结温范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 良好的雪崩耐量特性，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 内置ESD保护功能，提高了器件的静电防护能力。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 采用TO-220标准封装，易于安装和使用。
FDD4141主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 汽车电子系统中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各种需要高效功率开关的应用场景。
FDP5800
IRFZ44N
STP20NF50
