FDD3N50NZ 时间：2025/4/29 15:00:18 阅读：3

FDD3N50NZ 是一款 N 沣道通晶体管（N-Channel MOSFET），属于功率 MOSFET 类别，广泛应用于各种需要高效功率转换和开关的场景中。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　此型号适合于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换以及电源管理等场景。

参数

最大漏源电压：500V
　　连续漏极电流：3.75A
　　导通电阻（典型值）：2.4Ω
　　栅极电荷（典型值）：18nC
　　输入电容：590pF
　　总开关时间：60ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

FDD3N50NZ 的主要特点是高耐压能力（500V），使其适用于高压环境中的开关操作。同时，其较低的导通电阻确保了在导通状态下的功率损耗较小，从而提高了整体效率。
　　此外，该器件具备快速开关能力，可以减少开关损耗，并且拥有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
　　它的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，便于散热和安装，适合多种工业及消费类电子应用。

应用

FDD3N50NZ 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）
　　3. 电机控制与驱动
　　4. 电池保护电路
　　5. 电磁阀驱动
　　6. 各种负载切换电路
　　由于其高压和低损耗特性，这款 MOSFET 特别适合需要高可靠性和高效能表现的应用场合。