时间：2025/7/2 10:15:54
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FDD3690是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和功率放大应用。它具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度，适用于多种电源管理场景，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。
该器件采用PDFN3.3x3.3-8封装形式，能够有效降低热阻并提高散热性能，使其在紧凑型设计中表现出色。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
持续漏极电流：9.7A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：23nC
总电容：480pF
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频操作环境。
3. 小型化PDFN封装，支持高密度电路板布局。
4. 高雪崩能量能力，增强器件的可靠性和鲁棒性。
5. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持性能。
FDD3690广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备领域。典型应用场景包括：
1. 各类DC-DC转换器中的同步整流元件。
2. 在电池供电产品中作为负载开关使用。
3. 小功率电机驱动电路中的功率级元件。
4. 开关模式电源（SMPS）中的初级或次级侧开关。
5. 可编程逻辑控制器（PLC）和其他嵌入式系统的电源管理部分。
FDP5512
FDS6680
IRLZ44N
