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FDD3680 发布时间 时间:2025/6/16 16:53:57 查看 阅读:4

FDD3680是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。它采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  该器件通常用于需要高效能和快速响应的应用场合,例如DC-DC转换器、电池管理系统以及逆变器等。此外,其出色的热性能和可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:70nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 内置反向恢复二极管,优化了续流性能。
  4. 具备强大的抗雪崩能力和ESD防护功能,确保在极端条件下的稳定运行。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局并节省空间。
  6. 环保材料符合RoHS标准,满足绿色生产要求。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换模块。
  4. 新能源汽车的电池管理单元(BMS)。
  5. 各种直流变换器和逆变器的核心组件。
  6. LED照明系统的调光与控制电路。

替代型号

FDP5800
  IRFZ44N
  FDS6680

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FDD3680参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C46 毫欧 @ 6.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs53nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1735pF @ 50V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252
  • 包装带卷 (TR)