时间：2025/5/19 13:07:01
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FDD3672-F085是一款N沟道增强型MOSFET功率场效应晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合高频开关应用。
这款MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），能够提供出色的散热性能和较高的电流承载能力。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：14A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：16nC
开关时间：典型值t_on=11ns，t_off=29ns
工作结温范围：-55℃至175℃
FDD3672-F085具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 较高的电流处理能力，适用于大功率场景。
4. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 封装小巧但具备良好的散热性能，适合空间受限的设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
FDD3672-F085适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 充电器和适配器中的功率管理元件。
6. 工业自动化设备中的控制开关。
FDP5580, IRF540N, AO4402
