类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：2A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：800V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 3.5Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（D-Pak）

FDD2N80 具有低导通电阻（RDS(on)）特性，这有助于减少在导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。其高耐压能力（800V）使其适用于高电压应用场景，如电源适配器、充电器和工业电源设备。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了其在严苛工作条件下的可靠性。TO-252 封装提供了良好的散热性能，并且体积小巧，适合高密度 PCB 设计。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 驱动，便于与多种驱动电路兼容。同时，它具备良好的短路和过载保护能力，有助于提升系统的整体安全性和稳定性。
　　由于其优异的性能参数和可靠性，FDD2N80 常被用于电源开关、DC-DC 转换器、逆变器、负载管理和高电压控制电路中。

FDD2N80 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理系统：如 AC-DC 适配器、充电器、电源模块等；
　　2. DC-DC 转换器：用于升压、降压及隔离式转换电路；
　　3. 工业控制系统：包括电机驱动、继电器控制、工业电源等；
　　4. 电池管理系统：用于电池充放电控制和负载开关；
　　5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、智能家电、LED 照明电源等。
　　6. 通信设备：用于电信设备和网络设备中的电源管理部分。

FQA2N80、FDPF2N80、2SK2545、IRF820、FDD13N80