FDD2670-NL 是一款 N 沃特 (Nexperia) 公司生产的低功耗、高效率的双通道 MOSFET 功率开关器件。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有出色的导通电阻和快速开关性能,适用于多种便携式电子设备及电源管理应用。
这款元器件主要针对消费电子市场设计,广泛用于智能手机、平板电脑以及其他便携式设备中的负载开关、电池保护以及高效 DC-DC 转换等场景。
封装:DFN10
最大漏源电压 Vds:30V
连续漏极电流 Id:4.8A
栅极阈值电压 Vgs(th):1.5V
导通电阻 Rds(on):9.5mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
工作温度范围:-40°C 至 125°C
静态电流:2μA(典型值)
FDD2670-NL 提供了卓越的电气性能,其低导通电阻能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
此外,它还具备以下特点:
1. 高效节能:超低导通电阻使得该器件在大电流条件下依然能保持较低的功耗。
2. 快速开关能力:支持高频 PWM 应用,适合用于现代高效的 DC-DC 转换器。
3. 小尺寸封装:采用 DFN10 封装形式,节省 PCB 空间,非常适合紧凑型设计热稳定性:即使在极端温度条件下也能保证可靠运行。
5. 安全保护功能:内置过流保护机制以防止异常情况下的损坏。
FDD2670-NL 的主要应用领域包括但不限于以下方面:
1. 智能手机和平板电脑的负载开关控制。
2. 可充电锂电池管理系统中的保护电路。
3. 高效 DC-DC 转换器的功率级开关。
4. 各种便携式电子设备的电源管理模块。
5. LED 驱动电路中的关键元件。
由于其优异的性能表现,该芯片成为众多工程师首选方案之一。
FDD2671NL, FDN337AN