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FDD2612 发布时间 时间:2025/6/3 10:29:00 查看 阅读:6

FDD2612是一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高频开关和功率转换电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
  FDD2612适合在要求高效率和快速响应的场合使用,例如DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及电机驱动等应用领域。

参数

漏源电压:60V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关时间:典型值为9ns(开启)/3.8ns(关闭)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

FDD2612具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输并减少了能量损耗。
  2. 高速开关能力使其非常适合高频应用,从而可以减小外部元件的尺寸和成本。
  3. 良好的热稳定性和可靠性使得该器件能够在恶劣环境下长期工作。
  4. 紧凑的封装形式有助于提高印刷电路板的空间利用率。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保,无铅设计。

应用

FDD2612广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  5. 工业自动化系统中的信号隔离与功率放大环节。
  6. 汽车电子系统的各类控制模块。

替代型号

FDS6662A, IRF6613, BSC016N06LSG

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FDD2612参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C720 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds234pF @ 100V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)