时间：2025/5/10 18:15:35
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FDD24AN06LA0-F085 是一款基于沟槽栅极技术的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合应用于高效率、高频率的电源转换和电机驱动等场景。
其封装形式为 LFPAK8L（Power-SO8），能够提供出色的散热性能和电气性能，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：36A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：LFPAK8L（Power-SO8）
1. 超低导通电阻，有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频应用。
3. 高电流承载能力，满足大功率需求。
4. 优异的热性能，确保在高功率密度下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
该器件广泛应用于各类高效能电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. 电机驱动控制器
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统中的负载切换
6. 电池管理系统（BMS）中的保护电路
7. 光伏逆变器及能量回收装置
FDD23AN06L, FDMF2306Z, IRF540N
