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FDD18N20LZ 发布时间 时间:2025/7/7 10:41:38 查看 阅读:13

FDD18N20LZ是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点,广泛应用于各种电力电子设备中。
  这款MOSFET的主要特点是其额定电压为200V,连续漏极电流可达18A,适用于高压开关应用。此外,它还具有极低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了传导损耗,提高了整体系统效率。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):0.13欧姆(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1690pF
  总开关时间:70ns
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

FDD18N20LZ具有以下显著特性:
  1. 高电压耐受能力,适合高压电路环境。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗,提高转换效率。
  4. 良好的热性能,确保在高功率应用场景下的稳定运行。
  5. 高雪崩能量能力,增强了器件的可靠性和鲁棒性。
  6. 小型封装设计,便于PCB布局和散热管理。
  这些特性使得FDD18N20LZ成为高压开关电源、电机驱动器和其他功率转换应用的理想选择。

应用

FDD18N20LZ可应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
  由于其高性能和可靠性,FDD18N20LZ被广泛用于需要高效功率转换和控制的应用场景。

替代型号

IRF7738,
  STP18NF20,
  FDP18N20,
  IXTH18N20P

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FDD18N20LZ参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 200V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1575pF @ 25V
  • 功率 - 最大89W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)