时间：2025/7/7 10:41:38
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FDD18N20LZ是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点，广泛应用于各种电力电子设备中。
这款MOSFET的主要特点是其额定电压为200V，连续漏极电流可达18A，适用于高压开关应用。此外，它还具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了传导损耗，提高了整体系统效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.13欧姆（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：45nC
输入电容：1690pF
总开关时间：70ns
工作温度范围：-55°C至+150°C
FDD18N20LZ具有以下显著特性：
1. 高电压耐受能力，适合高压电路环境。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，提高转换效率。
4. 良好的热性能，确保在高功率应用场景下的稳定运行。
5. 高雪崩能量能力，增强了器件的可靠性和鲁棒性。
6. 小型封装设计，便于PCB布局和散热管理。
这些特性使得FDD18N20LZ成为高压开关电源、电机驱动器和其他功率转换应用的理想选择。
FDD18N20LZ可应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
由于其高性能和可靠性，FDD18N20LZ被广泛用于需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRF7738,
STP18NF20,
FDP18N20,
IXTH18N20P
