时间：2025/5/22 17:20:47
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FDD120AN15A0 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效功率转换的场景。
该 MOSFET 的设计使其在高频应用中表现优异，同时具备良好的热性能和可靠性。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：95nC
总电容（输入电容）：3100pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-247
FDD120AN15A0 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 120A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss)，适合高频应用。
4. 热稳定性良好，允许的工作结温范围宽广 (-55℃ 到 +175℃)，能够在严苛环境下使用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. TO-247 封装提供了优秀的散热性能，有助于提升整体系统的可靠性。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统中的功率转换组件。
5. 工业设备中的负载切换和保护功能。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统及电机控制器。
FDP120N15A0, IRFP260N, STP120N15WS
