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FDD120AN15A0 发布时间 时间:2025/5/22 17:20:47 查看 阅读:15

FDD120AN15A0 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-247 封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效功率转换的场景。
  该 MOSFET 的设计使其在高频应用中表现优异,同时具备良好的热性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:95nC
  总电容(输入电容):3100pF
  工作结温范围:-55℃ to +175℃
  封装类型:TO-247

特性

FDD120AN15A0 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗并提高效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达 120A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss),适合高频应用。
  4. 热稳定性良好,允许的工作结温范围宽广 (-55℃ 到 +175℃),能够在严苛环境下使用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
  6. TO-247 封装提供了优秀的散热性能,有助于提升整体系统的可靠性。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统中的功率转换组件。
  5. 工业设备中的负载切换和保护功能。
  6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统及电机控制器。

替代型号

FDP120N15A0, IRFP260N, STP120N15WS

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FDD120AN15A0参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds770pF @ 25V
  • 功率 - 最大65W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252AA
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD120AN15A0-NDFDD120AN15A0TR