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FDD10AN06A0 发布时间 时间:2025/4/29 16:22:24 查看 阅读:5

FDD10AN06A0 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著提高系统的效率和性能。
  这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等标准封装,便于安装和散热管理。其高可靠性和稳定性使其成为工业、汽车以及消费电子领域的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  总电容:1350pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

FDD10AN06A0 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以有效降低功耗并提升系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性和电气特性,能够在宽温度范围内保持一致性。
  4. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的耐受性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 可靠性经过严格测试,适用于各种恶劣环境条件。

应用

FDD10AN06A0 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关。
  2. 直流-直流转换器 (DC-DC Converter) 的主开关或同步整流器。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
  6. 汽车电子中的各类功率控制模块。
  7. 各种需要高效功率切换的应用场景。

替代型号

FDP10N06,
  FDS10N06,
  IRFZ44N,
  STP10NK06Z

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FDD10AN06A0参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1840pF @ 25V
  • 功率 - 最大135W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252AA
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD10AN06A0-NDFDD10AN06A0TR