时间：2025/5/22 14:37:55
阅读：2
FDD107AN06LA0 是一款高性能的 N 沯道 MOSFET 场效应晶体管，主要应用于电源管理、开关电路和负载驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点，非常适合在高效能和紧凑型设计中使用。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88，是一种表面贴装封装，能够提供优异的电气特性和散热性能。由于其良好的性能表现，FDD107AN06LA0 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
导通电阻：2.9mΩ
栅极电荷：36nC
反向恢复时间：36ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 低导通电阻，有助于降低功率损耗，提升整体效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，可有效减少开关损耗。
4. 良好的热性能，确保在高温环境下依然稳定运行。
5. 小型化的 LFPAK88 封装，节省 PCB 空间，便于高密度布局。
6. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 消费类电子产品中的电池管理及保护电路。
6. 电信设备中的高效电源模块设计。
FDMF3170, BSC016N06NS3, IRF7743
