FDC658P-NL 时间：2025/4/27 9:42:04 阅读：4

FDC658P-NL是一款高性能的N沟道逻辑电平MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用领域。该器件采用TO-252表面贴装封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　其设计优化了栅极驱动特性，使其非常适合于低电压驱动应用场合，比如电池供电设备或需要高效能转换的应用场景。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：13A
　　栅源开启电压：2.5V
　　导通电阻（典型值）：35mΩ
　　总功耗：1范围：-55℃ to +150℃

特性

FDC658P-NL采用了先进的制造工艺，具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗，提升整体效率。
　　2. 支持逻辑电平驱动，适用于低电压电路设计。
　　3. 高速开关性能，确保在高频应用中的优异表现。
　　4. 强大的电流承载能力，适合大电流应用场景。
　　5. 具备出色的热稳定性，在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
　　6. 表面贴装封装形式，方便自动化生产及安装，节省PCB空间。

应用

该器件适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
　　2. DC/DC转换器中的功率开关。
　　3. 电机驱动控制电路。
　　4. 负载开关和保护电路。
　　5. 各类电池管理系统中的功率路径管理。
　　6. 便携式电子设备中的电源管理模块。