时间：2025/5/9 18:15:47
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FDC658AP-NL是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3.3x3.3-8封装形式。该器件专为高效率、低功耗应用而设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种电源管理场景，如DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等。
这款MOSFET通过优化的半导体工艺实现了优异的性能指标，同时保持了较小的封装尺寸，非常适合对空间要求严格的便携式电子设备。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ@Vgs=4.5V
栅极电荷：9nC
输入电容：450pF
总功耗：0.5W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FDC658AP-NL具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 快速的开关速度减少了开关损耗，适合高频应用。
3. 小型PDFN封装节省了PCB布局空间。
4. 高雪崩耐量增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
该MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器的功率级开关。
3. 消费类电子产品中的电源管理模块。
4. 电池供电设备中的保护电路。
5. LED驱动器及小型电机控制。
FDC658AN-P, FDS6587P, Si4446DY
