时间：2025/5/26 11:50:04
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FDC655AN-NL 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
其封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合空间受限的设计场景。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（典型值）：0.12Ω
总栅极电荷：3nC
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：SOT-23
FDC655AN-NL 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
同时，该器件的快速开关速度使其非常适合高频应用环境。
其小型化的 SOT-23 封装进一步增强了设计灵活性，并且在高温环境下仍能保持稳定性能。
另外，它还拥有较低的输入电容和输出电容，从而优化了动态性能表现。
FDC655AN-NL 可广泛用于便携式电子产品中的负载开关、直流-直流转换器、电池保护电路以及背光驱动等应用场景。
此外，在电源管理领域，例如适配器、充电器和 LED 照明系统中，这款 MOSFET 同样表现出色。
它也适用于需要高效能量传输的各种工业自动化设备和汽车电子系统中。
FDS6550N, BSS138, AO3400A
