时间：2025/12/23 19:25:57
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FDC654P是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
其封装形式为SOT-23，这种小型化封装使其非常适合空间受限的应用场合。FDC654P的工作电压范围较广，适用于多种电路设计需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：3nC
总电容：22pF
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻，有助于减少功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 小型SOT-23封装，节省PCB布局空间。
4. 高可靠性和稳定性，在极端温度条件下仍能保持良好表现。
5. 提供出色的ESD保护能力，增强器件在实际使用中的抗干扰性能。
FDC654P主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。具体包括但不限于以下场景：
1. 开关电源适配器中的同步整流。
2. 移动设备电池管理系统的负载开关。
3. 便携式电子产品中的信号切换。
4.。
5. 各类需要高效功率转换的场合。
FDS654P, FDN654P
