时间：2025/12/29 14:12:49
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FDC652P是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的双通道N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和较高的效率，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等多种应用领域。其封装形式为8引脚TSSOP，具有良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：4.1A
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：160mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：2.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP-8
FDC652P具有低导通电阻和高开关速度的特性，使其在高频开关应用中表现出色。其双通道结构允许两个MOSFET并联使用，从而进一步降低系统的导通损耗。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提高了电流处理能力和能效。此外，FDC652P还具有良好的热稳定性和过温保护功能，确保在高负载条件下依然能够稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持从标准逻辑电平到较高电压的驱动，增强了其在不同电路设计中的适用性。
FDC652P适用于多种电源管理场合，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池供电设备中的功率控制。由于其高效率和小尺寸封装，该器件也常用于便携式电子设备、工业控制系统和电机驱动电路。在计算机和通信设备中，FDC652P常用于电源模块和电压调节系统中，以提高整体系统的能效和可靠性。
FDN340P, FDC653N, FDS6680, AO4406
