时间：2025/4/25 15:00:26
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FDC6506P-NL 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP-8L 封装。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率管理的应用中。其低导通电阻和高开关速度使其成为许多功率转换应用的理想选择。
FDC6506P-NL 的设计旨在提供优异的热性能和电气性能，从而确保在各种复杂环境下的稳定运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：4.9nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TSSOP-8L
FDC6506P-NL 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保更低的传导损耗，从而提高整体效率。
2. 快速开关能力，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 内置静电放电 (ESD) 保护，提高了器件对瞬态电压的抵抗能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
FDC6506P-NL 可用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 便携式设备中的负载开关。
3. 各类 DC-DC 转换器模块。
4. 电机驱动电路。
5. 电池保护及管理系统。
6. 各种工业控制和消费类电子产品的功率管理部分。
FDS6506P, FDC6506N
