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FDC642P-F085 发布时间 时间:2025/5/7 10:24:16 查看 阅读:8

FDC642P-F085 是一款高性能的 N 沣道通体 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  这款 MOSFET 属于 P 沟道增强型器件,适合在低压和中压电路中使用,支持高频开关操作。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等常见工业标准封装,方便集成到各种电子设备中。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:-9.6A
  导通电阻:70mΩ
  栅极电荷:15nC
  开关时间:典型值 15ns
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on))可降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关特性支持高频应用,减少开关损耗。
  3. 高耐压能力确保在复杂电路环境中稳定运行。
  4. 具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。
  5. 小型化封装设计节省 PCB 空间,便于紧凑型设计。
  6. 提供全面的静电防护功能,增强器件的耐用性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. DC-DC 转换器中的开关元件。
  5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动电路。

替代型号

FDS642P, IRF7405, Si4445DP

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FDC642P-F085参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)65 毫欧 @ 4A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)16 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)640 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SuperSOT?-6
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6