FDC642P-F085 是一款高性能的 N 沣道通体 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款 MOSFET 属于 P 沟道增强型器件,适合在低压和中压电路中使用,支持高频开关操作。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等常见工业标准封装,方便集成到各种电子设备中。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:-9.6A
导通电阻:70mΩ
栅极电荷:15nC
开关时间:典型值 15ns
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻(Rds(on))可降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关特性支持高频应用,减少开关损耗。
3. 高耐压能力确保在复杂电路环境中稳定运行。
4. 具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 小型化封装设计节省 PCB 空间,便于紧凑型设计。
6. 提供全面的静电防护功能,增强器件的耐用性。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. DC-DC 转换器中的开关元件。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动电路。
FDS642P, IRF7405, Si4445DP