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FDC638P 发布时间 时间:2024/5/27 14:21:38 查看 阅读:374

FDC638P是一款高阻抗NPN晶体管。它是由Fairchild Semiconductor公司生产的一款通用用途晶体管。该晶体管具有高电压和高电流的能力,适用于各种不同的应用领域。
  FDC638P的最大集电极电压为30伏,最大集电极电流为3安培。它具有低饱和电压和低输入电容,能够提供高效的性能。该晶体管采用表面贴装封装,适用于自动化生产和高密度电路板设计。
  FDC638P广泛应用于各种电路中,包括放大器、开关、电源管理、电流控制等。它可以用于驱动各种负载,如电机、灯泡、继电器等。此外,由于其高阻抗特性,FDC638P还可用于传感器接口和低功耗应用。
  FDC638P具有良好的温度稳定性和可靠性,能够在广泛的工作温度范围内正常工作。它还具有短路保护和过热保护功能,可以有效保护电路不受损坏。

参数和指标

1、高阻抗:FDC638P具有高输入阻抗和低输出阻抗,可以有效降低电路的功耗和噪声。
  2、NPN结构:NPN代表了晶体管的结构,表示该晶体管是由一个N型区域夹在两个P型区域之间构成的。
  3、封装形式:FDC638P一般采用TO-92封装形式,便于安装和使用。

组成结构

FDC638P由三个区域组成:发射区、基区和集电区。发射区和集电区都是P型半导体材料,基区是N型半导体材料。发射区和基区之间有一个PN结,基区和集电区之间也有一个PN结。

工作原理

当发射结与基结之间施加正向偏置电压时,发射结变得导电,电子从发射区注入基区。同时,集电结与基结之间施加反向偏置电压,集电结处于截止状态。这样,当发射区注入的电子足够多时,就会形成一个电流放大效应,从而实现信号放大功能。

技术要点

1、输入电阻:FDC638P具有高输入电阻,可以有效降低输入信号源的功耗。
  2、输出电阻:FDC638P具有低输出电阻,可以提高输出信号的稳定性和驱动能力。
  3、频率响应:FDC638P的频率响应范围较宽,适用于高频应用。

设计流程

1、确定电路需求和规格参数。
  2、选择合适的晶体管型号,如FDC638P。
  3、根据电路需求,计算电路中使用的晶体管的工作点。
  4、进行电路仿真和优化。
  5、进行电路实验验证和调试。

注意事项

1、注意晶体管的最大额定电流和功耗,避免超过其额定值。
  2、注意晶体管的最大工作温度范围,避免超过其额定温度。
  3、注意晶体管的极性,正确连接引脚。

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FDC638P参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C48 毫欧 @ 4.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1160pF @ 10V
  • 功率 - 最大800mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装6-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDC638PTR