时间：2025/5/12 14:22:42
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FDC637AN是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于开关电源、直流电机驱动、负载切换以及其他需要高效能功率管理的应用场景。
由于其出色的电气性能，FDC637AN被广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：1.2W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
FDC637AN具备低导通电阻特性，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。
此外，该器件还拥有快速开关速度，能够有效减少开关损耗。
FDC637AN采用了先进的制程工艺，确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性。
同时，其小型化的封装形式也为电路板设计提供了更大的灵活性。
另外，该MOSFET具有良好的热性能，便于散热处理。
FDC637AN适用于多种功率转换和控制场景，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- 直流-直流转换器
- 电池管理系统（BMS）
- 汽车电子设备中的负载切换
- 工业自动化中的电机驱动
- 消费类电子产品中的电源管理
FDC6373N, FDC6376N
