FDC636P-NL 时间：2025/5/12 17:20:29 阅读：8

FDC636P-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装（SOT-23）。该器件以其低导通电阻和高开关速度而著称，广泛应用于各种电源管理电路、信号切换以及负载驱动等场景。其设计旨在提供高效能和高可靠性，适合便携式设备和其他对空间敏感的应用。

参数

最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±10V
　　持续漏极电流(Id)：1.5A
　　导通电阻(Rds(on))：0.8Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：7nC
　　总功耗(PD)：420mW（Tc=25°C时）
　　工作温度范围(Ta)：-55°C至+150°C

特性

FDC636P-NL具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 小型SOT-23封装，节省PCB空间，非常适合紧凑型设计。
　　3. 高开关速度，支持高频应用。
　　4. 良好的热稳定性和电气性能，确保在极端条件下的可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且适用于现代电子产品的制造要求。

应用

该MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于：
　　1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和开关功能。
　　2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
　　3. 电池保护电路中的负载开关。
　　4. 各类信号切换和隔离电路。
　　5. LED驱动和小型电机控制。
　　6. 便携式电子产品中的电源管理单元。