时间：2025/5/8 17:07:29
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FDC6325L是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能的电源管理应用中。其出色的性能使其成为消费电子、工业控制以及通信设备中的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：15nC
开关时间：ton=9ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃至150℃
FDC6325L具有非常低的导通电阻，仅为2.5mΩ，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，它的栅极电荷较低，为15nC，从而实现了更快的开关速度和更高的系统频率操作能力。由于采用了小型封装设计，这款MOSFET非常适合空间受限的应用场景。
它还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。并且，通过优化内部结构，FDC6325L可以承受较高的瞬态电压，增强了产品的可靠性和耐用性。
FDC6325L广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及多相电压调节模块等领域。在笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式电子设备的电源管理系统中也常使用此型号。同时，它也适用于服务器、网络路由器等高性能计算设备中的电源分配网络。
FDC6327L, FDS6680A
