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FDC6323L 发布时间 时间:2025/6/4 1:42:10 查看 阅读:4

FDC6323L 是一款高性能、低导通电阻的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造,专为高效率开关应用设计,适用于广泛的工业和消费类电子产品领域。
  其主要特点是具备较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较小的封装尺寸,能够有效降低功耗并提高系统的整体性能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:3.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
  总栅极电荷:29nC
  输入电容:1340pF
  输出电容:70pF
  反向传输电容:25pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

FDC6323L 提供了非常低的导通电阻,从而显著减少了传导损耗。此外,该器件还具有出色的开关性能,适合高频应用。快速的开关速度和低栅极电荷使得驱动损耗得以优化。
  FDC6323L 还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能表现。
  其小型化的封装(如 SO-8 或更小)也使其非常适合对空间有严格要求的设计场景。

应用

FDC6323L 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统 (BMS) 等领域。
  在电源管理方面,这款 MOSFET 适用于笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式电子设备中的高效功率转换。
  此外,它还可用于通信设备、服务器以及工业自动化系统中,以实现更高的能效和更紧凑的设计。

替代型号

FDS6601A, FDP5501, IRF7727

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FDC6323L参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 电源分配开关
  • 系列-
  • 类型高端开关
  • 输出数1
  • Rds(开)-
  • 内部开关
  • 电流限制1.5A
  • 输入电压3 V ~ 8 V
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装6-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDC6323L-ND