FDC6320 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的高性能双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电机控制等应用。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优异的热稳定性,适合在高效率和高功率密度的电子系统中使用。
类型:双N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):20V
最大栅源电压(Vgs):±12V
最大连续漏极电流(Id):4.1A(每个通道)
导通电阻(Rds(on)):16mΩ(典型值,@Vgs=4.5V)
功率耗散(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:8引脚TDFN
阈值电压(Vgs(th)):0.5V 至 1.5V
漏极-源极击穿电压(BVDSS):20V
FDC6320 MOSFET采用先进的PowerTrench?技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡。其低Rds(on)特性可显著减少功率损耗,提高系统效率,并降低散热需求。该器件支持高频率开关操作,适合用于高效率的DC-DC转换器和同步整流器设计。
FDC6320集成了两个独立的N沟道MOSFET,适用于多种拓扑结构,如半桥、H桥和负载开关电路。其8引脚TDFN封装具有优良的散热性能和紧凑的尺寸,非常适合空间受限的便携式设备和高密度电源模块。
此外,该MOSFET具有较高的抗静电能力(ESD),能够在复杂电磁环境中稳定工作。其栅极氧化层经过优化设计,提高了器件的可靠性和寿命,适用于工业自动化、消费电子、通信设备和电池供电系统等多种应用场景。
FDC6320 MOSFET主要应用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理系统。例如,它常用于便携式设备的电池管理系统、DC-DC降压/升压转换器、负载开关控制电路、电机驱动器和LED背光电源等。
在电池供电设备中,FDC6320可以有效降低导通损耗,提高电池续航时间。在DC-DC转换器中,其低Rds(on)和高开关频率特性有助于提高转换效率并减小外部元件尺寸。同时,该器件也适用于工业控制系统的电机驱动和电源管理模块,提供稳定可靠的功率开关性能。
FDC6320L, FDC6330N, FDC6303N