时间：2025/6/29 3:50:59
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FDC6310P是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率转换、负载开关、电机驱动以及电源管理等电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提高系统性能。
这款MOSFET适用于要求高效能与小封装的应用场景，同时具有良好的热特性和可靠性，非常适合便携式设备和其他对空间有限制的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：85mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：140pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小尺寸封装DFN3x3-8，有助于节省PCB面积。
4. 静电防护设计，增强器件在实际使用中的稳定性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
6. 可靠的电气性能和长寿命，确保长期稳定运行。
1. 开关电源适配器及充电器中的同步整流。
2. DC/DC转换器的功率开关元件。
3. 电池供电产品中的负载开关控制。
4. 消费类电子产品的电源管理模块。
5. LED驱动器中的电流调节组件。
6. 通信设备中的信号切换功能。
FDS6670P
FDMC6310
IRLML6344
