时间：2025/7/2 16:20:41
阅读：4
FDC608PZ是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，专为需要低导通电阻和快速开关性能的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的电气特性和可靠性，广泛应用于功率转换、电机驱动、负载开关等领域。
其封装形式为PowerDI3232（DPAK），能够承受较高的电流和电压，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：37nC
总电容：1290pF
工作结温范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能力，确保在异常条件下仍能可靠运行。
4. 小型化封装，节省PCB空间。
5. 优异的热稳定性，适应各种严苛的工作场景。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 其他需要高效功率切换的场合。
FDC608NZ, IRF6672, AOTF60N06
