时间：2025/5/12 12:06:01
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FDC604P-NL 是一款 N 沟道逻辑增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景中。其设计旨在提供卓越的性能，特别是在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
栅极电荷：1.8nC
开关时间：ton=10ns, toff=15ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FDC604P-NL 具有较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。
它支持较高的开关速度，使其非常适合于高频应用环境。
具备良好的热稳定性，在宽泛的工作温度范围内仍能保持稳定的性能。
MOSFET 的增强型结构意味着在正向栅极电压下开启，并在零或负向电压下关闭，控制简单且可靠。
由于其封装小巧，适合用于对空间要求严格的电路设计。
该器件广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中的开关电源、电机驱动以及负载切换等领域。
常用于 DC-DC 转换器、电池保护电路、LED 驱动器和音频放大器等场景。
FDC604P-NL 的低导通电阻和高频率特性使其成为许多功率管理应用的理想选择。
FDC603P-NL
FDC604P-L
FDS604P
