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FDBL86563 发布时间 时间:2025/8/25 4:14:50 查看 阅读:9

FDBL86563是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的高性能双N沟道功率MOSFET,采用先进的PowerTrench?技术,具有极低的导通电阻和优异的开关性能。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计,例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等。FDBL86563封装形式为8引脚SOIC,具备良好的热管理和电气性能,适合在各种工业和消费类电子产品中使用。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  连续漏极电流(ID):6A(单个通道)
  导通电阻(RDS(on)):18mΩ(典型值,VGS=4.5V)
  栅极电荷(Qg):9.5nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:8引脚SOIC
  功率耗散(PD):2.5W(Tamb=25°C)
  热阻(RθJA):50°C/W(典型值)
  栅源电压(VGS):±20V

特性

FDBL86563采用飞兆半导体的PowerTrench?技术,能够显著降低导通电阻(RDS(on)),从而减少导通损耗并提高整体效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现优异,能够有效降低功耗,减少发热。
  此外,该MOSFET具有快速开关特性,栅极电荷(Qg)仅为9.5nC,有助于降低开关损耗,提高系统效率。这对于高频开关应用(如DC-DC转换器和同步整流器)尤为重要。
  FDBL86563的双通道设计使其能够在多个功率管理电路中灵活使用,例如双向负载开关、H桥电机驱动器或同步降压转换器。每个通道都可以独立控制,提供更高的系统集成度和灵活性。
  该器件的8引脚SOIC封装具有良好的散热性能,能够在高功率密度设计中提供稳定的热管理方案。其封装尺寸小巧,适合用于空间受限的便携式设备和高密度PCB布局。
  此外,FDBL86563具有宽工作温度范围(-55°C至150°C),可在严苛的工业环境中稳定运行,适用于工业自动化、通信设备、服务器电源等应用场景。

应用

FDBL86563广泛应用于各类高效率电源管理系统中,例如:
  1. 同步降压转换器:由于其低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于同步整流拓扑中,提高转换效率并降低功耗。
  2. 电池管理系统:在电池供电设备中,FDBL86563可用于实现高效的充放电控制和负载切换,延长电池使用寿命。
  3. 电机驱动器:其双通道结构使其适用于H桥电机驱动电路,提供双向电机控制能力,适用于小型机器人、电动工具和自动化设备。
  4. 负载开关:可用于智能电源管理,实现多个负载的独立控制,适用于服务器、网络设备和嵌入式系统。
  5. 工业自动化控制:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业电源模块中,FDBL86563可以提供高效的功率控制方案,提升系统稳定性和可靠性。
  6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、智能音箱等设备中的电源管理模块,FDBL86563的小尺寸和高效率特性非常适合这些应用。

替代型号

FDMS8658C, FDS4410, Si4410BDY, IRF7404, BSC050N03LS

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