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FDBL86363_F085 发布时间 时间:2025/8/25 0:46:35 查看 阅读:14

FDBL86363_F085 是一款由 Fairchild Semiconductor(安森美半导体)推出的高性能、双通道、N沟道功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理和电机控制等领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。FDBL86363_F085通常封装在紧凑的Power 56或类似封装中,适用于高效率DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子系统等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id)@25°C:120A
  导通电阻(Rds(on)):0.85mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:Power 56(表面贴装)

特性

FDBL86363_F085 具备多项优异的电气和热性能特性。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高整体系统效率。在高电流应用中,这种低电阻特性尤为重要,可有效减少发热并提升功率密度。其次,该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构,优化了电流传导路径,提高了电流密度,从而支持更高的连续工作电流。此外,FDBL86363_F085具有良好的热管理能力,其封装设计能够有效地将热量传导至PCB,从而在高功率密度应用中保持稳定的性能。
  FDBL86363_F085的栅极驱动特性也非常优秀,其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高开关速度。这对于高频开关应用(如同步整流、DC-DC转换器)尤为重要。该器件的栅源电压范围为±20V,提供了更高的驱动灵活性和可靠性,避免因电压波动导致的误操作。
  该器件还具有良好的短路和过载承受能力,能够在瞬态条件下保持稳定运行。其坚固的封装结构和内部设计使其在恶劣的工业和汽车环境中也能可靠工作。此外,FDBL86363_F085的双通道结构使其能够并联使用或独立控制,适用于多种拓扑结构。

应用

FDBL86363_F085 主要应用于高功率密度、高效率的电力电子系统中。其主要用途包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机控制、电源管理模块以及汽车电子系统(如电动助力转向系统、车载充电器等)。在这些应用中,FDBL86363_F085能够提供高效的功率转换和稳定的电流控制。
  由于其低导通电阻和高电流承载能力,FDBL86363_F085非常适合用于高性能电源转换系统。例如,在服务器电源、通信设备电源和工业自动化系统中,它可作为主功率开关或同步整流器使用,显著提高电源效率。在汽车电子应用中,FDBL86363_F085可用于电动车辆的电池管理系统、DC-DC转换器以及电机驱动系统,确保在高电流、高温环境下依然保持稳定工作。
  此外,FDBL86363_F085也可用于高性能负载开关,用于控制大电流负载的通断,如LED照明系统、高功率风扇控制等。其快速开关能力和低损耗特性使其在这些应用中表现出色。

替代型号

FDMS86363, FDBL86182_F085, FDS4410, SiR142DP

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