时间：2025/8/25 4:06:56
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FDB86363 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为 ON Semiconductor）生产的功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。FDB86363 通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理系统以及各种需要高效能功率开关的场合。该器件采用 TO-263（D2Pak）封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：110A
导通电阻（RDS(on)）：3.6mΩ @ VGS = 10V
导通电阻（RDS(on)）：4.8mΩ @ VGS = 4.5V
最大功耗（PD）：220W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
FDB86363 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于高电流、高效率的电源系统中。其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)），在 VGS = 10V 时仅为 3.6mΩ，在 VGS = 4.5V 时也仅为 4.8mΩ，这使得器件在高负载条件下依然能保持较低的导通损耗，从而提高整体能效。
该器件采用了先进的沟槽式结构设计，不仅降低了导通电阻，还提升了开关速度和热稳定性。同时，其 TO-263（D2Pak）封装具有良好的热管理和机械强度，适用于高功率密度的设计场景。
此外，FDB86363 支持高达 110A 的连续漏极电流，适用于高电流负载如电机驱动、DC-DC 转换器和电池管理系统。其最大漏源电压为 30V，适合中低压功率应用。栅极驱动电压范围宽广（支持 4.5V 至 10V 驱动），兼容多种驱动器设计，便于系统集成。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，具有良好的环境适应性，适用于汽车电子、工业控制、通信设备等对可靠性要求较高的应用场景。
FDB86363 主要应用于需要高电流、低导通损耗和高可靠性的功率电子系统。例如，它常用于 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备以及汽车电子系统中的功率控制模块。
由于其低 RDS(on) 和高电流能力，该 MOSFET 特别适合用于多相供电系统和高性能电源转换器中，以提高效率并降低温升。在汽车电子方面，FDB86363 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统等关键模块。
在工业领域，该器件可用于 PLC 控制器的输出驱动电路、工业电机控制、电源分配单元（PDU）等。此外，FDB86363 的高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于恶劣环境下的长期运行应用。
SiS8636, NexFET CSD86339, FDBL86363, FDMS86363
