时间：2025/12/23 21:09:15
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FDB86102LZ 是 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的一款 N 沯 道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于各种高效能电源管理应用。
该芯片设计主要针对需要高性能、低损耗的应用场景，如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池保护等。它通过优化的封装和半导体工艺，确保了出色的热性能和电气性能。
型号：FDB86102LZ
VDS (漏源电压)：30V
RDS(on) (导通电阻)：2.5mΩ @ VGS=10V
ID (连续漏极电流)：149A
PD (总功耗)：70W
VGS (栅源电压)：±20V
fT (特征频率)：3.2GHz
封装形式：LFPAK56E
FDB86102LZ 具备以下特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，能够满足高频应用的需求。
3. 采用 LFPAK56E 封装，提供良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在空间受限的设计中使用。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性，使其适用于严苛的工作环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
FDB86102LZ 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率转换。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 笔记本电脑和服务器中的负载开关与保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率级控制。
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）及 DC-DC 转换器。
6. LED 照明驱动中的高效功率调节模块。
FDB86102LZTR,
FDB86102,
IRF7843,
AON6212
