时间：2025/8/24 13:27:37
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FDB6N90TM 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和功率放大器等高效率电源应用。该器件采用先进的平面沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于中高功率等级的电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）@25℃：6A
导通电阻（RDS(on)）：最大值 2.2Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：80W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220FM
FDB6N90TM 的核心特性在于其高耐压能力和相对较低的导通电阻，使其在高压电源转换应用中表现优异。该器件具备出色的热稳定性和过载承受能力，能够在高温度环境下保持稳定运行。
其先进的沟槽式 MOSFET 设计降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，FDB6N90TM 还具备快速开关特性，使其适用于高频开关电路，从而减小外部滤波元件的体积和重量，提高整体功率密度。
封装采用 TO-220FM 格式，便于散热并易于安装在 PCB 板上。该器件符合 RoHS 环保标准，适合工业级应用需求。
FDB6N90TM 广泛应用于多种电源系统，包括但不限于：AC-DC 和 DC-DC 功率转换器、高压负载开关、电机控制、电源适配器、LED 照明驱动、UPS 不间断电源以及工业自动化控制设备等。其高耐压特性也使其适用于某些电力电子设备中的开关元件。
FQP6N90C, FQA6N90C, 2SK2141, STF9NK90Z
