FDB6N90TM 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和功率放大器等高效率电源应用。该器件采用先进的平面沟槽技术,提供较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于中高功率等级的电子系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):900V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID)@25℃:6A
导通电阻(RDS(on)):最大值 2.2Ω @ VGS=10V
功率耗散(PD):80W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-220FM
FDB6N90TM 的核心特性在于其高耐压能力和相对较低的导通电阻,使其在高压电源转换应用中表现优异。该器件具备出色的热稳定性和过载承受能力,能够在高温度环境下保持稳定运行。
其先进的沟槽式 MOSFET 设计降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,FDB6N90TM 还具备快速开关特性,使其适用于高频开关电路,从而减小外部滤波元件的体积和重量,提高整体功率密度。
封装采用 TO-220FM 格式,便于散热并易于安装在 PCB 板上。该器件符合 RoHS 环保标准,适合工业级应用需求。
FDB6N90TM 广泛应用于多种电源系统,包括但不限于:AC-DC 和 DC-DC 功率转换器、高压负载开关、电机控制、电源适配器、LED 照明驱动、UPS 不间断电源以及工业自动化控制设备等。其高耐压特性也使其适用于某些电力电子设备中的开关元件。
FQP6N90C, FQA6N90C, 2SK2141, STF9NK90Z