类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：5.7A（在 25°C）
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

FDB6N60TM 具备一系列高性能特性，使其在各种高电压和高功率应用中表现出色。首先，其 600V 的漏源击穿电压（Vds）使其非常适合用于高压电路设计。此外，该器件的导通电阻较低，仅为 1.5Ω，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。FDB6N60TM 的栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，这使得其能够与标准逻辑电平的控制器兼容，从而简化了驱动电路的设计。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，适合在高温环境下工作。同时，其最大功耗为 40W，确保在较高功率条件下仍能稳定运行。FDB6N60TM 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明其在极端环境条件下也具有出色的稳定性和可靠性。
　　由于其高性能和高可靠性，FDB6N60TM 常用于电源管理领域，例如 AC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、LED 照明驱动器和工业电机控制系统。此外，该器件还具备较强的抗过载能力，能够在短时间内承受超过额定电流的负载，进一步增强了其在实际应用中的耐用性。

FDB6N60TM 主要应用于各种需要高压、高功率处理能力的电子系统中。例如，该器件广泛用于开关电源（SMPS）设计，以提供高效的能量转换能力。在 AC-DC 转换器中，FDB6N60TM 可作为主开关元件，负责将交流电转换为稳定的直流电输出。此外，该 MOSFET 还可用于 LED 照明驱动器，提供稳定的电流控制，以确保 LED 灯具的高效运行和长寿命。
　　在工业自动化和电机控制系统中，FDB6N60TM 可用于 H 桥或半桥拓扑结构，以实现对直流电机的速度和方向控制。它还可用于电池充电器和逆变器系统，以提高能量转换效率并减少热量损耗。由于其优异的高温稳定性和抗过载能力，该器件也适用于需要长时间连续运行的工业设备和电源系统。

FQA6N60C、FQP6N60、IRFBC40、STP6NK60Z