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FDB42AN15_F085 发布时间 时间:2025/8/25 5:39:53 查看 阅读:10

FDB42AN15_F085是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率和高频率应用。该器件采用先进的平面技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于电源管理和电机控制等场合。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):150V
  漏极电流(Id):42A(最大)
  导通电阻(Rds(on)):0.034Ω(最大)
  栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

FDB42AN15_F085的主要特性包括低导通电阻,能够显著减少功率损耗并提高效率。其高电流能力使得该器件适用于需要大功率输出的应用场景。此外,该MOSFET具有快速开关特性,有助于降低开关损耗并提高系统性能。器件的封装形式为TO-263(D2PAK),提供良好的散热性能,确保在高功率条件下的稳定性。
  FDB42AN15_F085还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能。其栅极驱动设计简单,能够与常见的驱动电路兼容,方便用户进行电路设计和集成。此外,该器件具有较高的抗干扰能力,可以在高噪声环境中正常工作。

应用

FDB42AN15_F085广泛应用于多种电力电子系统中,包括DC-DC转换器、电机控制器、电源管理系统以及工业自动化设备。其高效率和高可靠性使其成为电动汽车、太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统等高功率应用的理想选择。此外,该MOSFET也可用于音频放大器和负载开关等场合。

替代型号

FDB42AN15_F085的替代型号包括FDH42AN15、FDPF42AN15、SiHFA42N15等多个型号,这些器件在电气性能和封装形式上与FDB42AN15_F085相似,可根据具体需求进行选择。

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