时间：2025/8/24 22:16:38
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FDB3632_NL 是 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的一款高性能、高可靠性、低电压 N 沟道 MOSFET（场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽技术，能够在低电压条件下提供高效率的开关性能。其封装形式为 8-PowerTDFN，适用于高密度 PCB 设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.9A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：19mΩ @ VGS=10V
导通阈值电压（VGS(th)）：1.1V @ ID=250μA
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：8-PowerTDFN
FDB3632_NL 具有出色的导通特性和开关性能，使其在低电压电源管理系统中表现优异。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了功率损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 的高耐压能力和良好的热性能使其适用于高可靠性应用场景。
该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了在低栅极驱动电压下的高效运行。其封装形式为 8-PowerTDFN，具备良好的散热能力，适合在高密度电路设计中使用。FDB3632_NL 还具备较强的抗静电能力，提高了在复杂电磁环境下的稳定性。
在开关性能方面，FDB3632_NL 提供了快速的上升和下降时间，有助于减少开关损耗。其较低的栅极电荷（Qg）也使得该器件在高频应用中表现良好。此外，该 MOSFET 的封装设计支持自动贴片和回流焊工艺，适用于现代电子制造流程。
FDB3632_NL 广泛应用于各种电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、服务器电源、通信设备电源模块以及汽车电子系统。由于其低导通电阻和高效率的特点，它特别适合用于需要高能效和紧凑设计的便携式设备和嵌入式系统。此外，该器件也常用于电源管理 IC（PMIC）外围电路中，作为高效功率开关使用。
FDMS3622, FDS4435, Si4410BDY
