时间：2025/3/25 9:59:32
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FDB3502是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合各种高效能需求的电路设计。
该MOSFET适用于消费电子、工业设备以及汽车电子等领域，能够有效提升系统的效率并降低能耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：2.9mΩ
栅极电荷：77nC
输入电容：2820pF
工作温度范围：-55℃至150℃
FDB3502具备超低导通电阻，能够显著减少传导损耗，从而提高整体效率。其快速开关特性使其在高频应用中表现优异，同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力。
该器件还采用了DFN8封装形式，有助于提高散热性能和节省PCB空间。此外，它支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和提高可靠性。
FDB3502广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电源管理模块、LED照明驱动电路等场景。
由于其高效的开关性能和低功耗特点，这款MOSFET非常适合对能效要求较高的场合，如笔记本电脑适配器、平板电视电源以及电动车充电系统等。
FDP5502
FDS6680
IRF7739
