时间：2025/8/25 5:37:30
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FDB12P10 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的P沟道功率MOSFET场效应晶体管。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及各类低电压高效率的功率系统中。FDB12P10 采用先进的工艺制造，具备优异的导通电阻和高可靠性，适用于高性能电源设计。
类型：P沟道
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-8.8A @ 25°C（Tc）
导通电阻（Rds(on)）：125mΩ @ Vgs = -10V
导通电阻（Rds(on)）：175mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（D-Pak）
FDB12P10 的核心优势在于其出色的导通性能和高效的功率处理能力。其导通电阻在-10V栅极电压下仅为125mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET在低栅极电压下（如-4.5V）也能保持较低的Rds(on)，使其适用于由低压控制器驱动的电源系统。
该器件的封装采用TO-252（D-Pak）形式，具备良好的热管理能力，适合表面贴装工艺，提高了生产效率和装配的可靠性。FDB12P10 的最大漏极电流为-8.8A，在高负载条件下依然能够稳定运行。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，能够承受短时间的过载和瞬态电压冲击，从而增强了系统的稳定性和耐用性。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）也确保了其在恶劣环境下的可靠运行。
FDB12P10 主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备电源管理、汽车电子系统（如车载充电器、电动工具等）以及工业控制设备中。其高效率和低导通电阻的特性使其成为高效能电源设计中的理想选择。
Si4435BDY, IRFR9024, FDS4435, FDN340P
