时间：2025/8/24 22:50:04
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FDB060AN08A 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的功率 MOSFET 器件，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款 MOSFET 采用了先进的平面沟槽栅极技术，提供低导通电阻和高可靠性，适用于高效率电源转换器、电机控制和电池管理系统等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：60A
漏极-源极电压（VDS）：80V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-263（D2Pak）
FDB060AN08A MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在大电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升整体系统的效率。
此外，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提高了栅极控制能力，降低了开关损耗，同时增强了器件的热稳定性。
该 MOSFET 具有较高的电流承受能力和良好的热性能，适合在高温环境下运行，并能在高负载条件下保持稳定的工作状态。
封装形式采用 TO-263（D2Pak），具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于在高密度 PCB 设计中使用。
此外，FDB060AN08A 具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，能够有效提高系统在异常工况下的可靠性。
FDB060AN08A 被广泛应用于各类功率电子设备中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制电路。
其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计中的理想选择，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合，例如服务器电源、通信设备电源、电动车电池管理系统等。
此外，该器件也常用于同步整流、功率因数校正（PFC）电路、逆变器以及各种开关电源拓扑结构中，如 BUCK、BOOST 和 LLC 转换器等。
由于其优异的热性能和稳定的工作特性，FDB060AN08A 也适用于需要长时间高负载运行的工业控制系统和高功率 LED 驱动电路。
SiR1000DGK、FDS8873、FDB060N08A、FDMS8878、FDMS8873
