类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：5A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值，具体取决于测试条件）
　　功率耗散（PD）：45W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、TO-252等

FDB05N100 MOSFET具备多项优异特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，其漏极-源极击穿电压高达100V，能够支持多种高压电路的设计需求，确保器件在高电压环境下稳定工作。其次，该器件的导通电阻相对较低，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，FDB05N100采用了先进的平面技术，提供了良好的热稳定性和可靠性，适合长时间高负荷运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，允许使用常见的10V或12V驱动电压，简化了驱动电路的设计。同时，其封装形式（如TO-220）具有良好的散热能力，能够有效将热量从芯片传导到外部散热器，从而提高系统的整体热管理性能。FDB05N100还具备快速开关特性，减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。
　　在保护方面，FDB05N100具有一定的抗静电（ESD）能力和过热保护特性，能够在恶劣的工作环境下提供额外的安全保障。这些特性使得FDB05N100成为电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器等应用的理想选择。

FDB05N100广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、AC-DC适配器、负载开关控制、马达驱动电路、LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和消费类电子产品。其高电压能力和良好的导通特性使其成为多种高电压开关应用的首选器件。

FDN340P, IRFZ44N, FQP5N10L, FDB04N10A