FDB036N08 时间：2025/8/25 1:39:47 阅读：9

FDB036N08是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及马达控制电路。该器件采用先进的平面工艺制造，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热稳定性，适用于需要高电流能力和低功耗的高性能电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A（在25°C）
　　最大漏-源电压（Vds）：80V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为3.6mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

FDB036N08的导通电阻非常低，仅为3.6mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（120A）使其适用于大功率应用，如服务器电源、电信设备和DC-DC转换器。此外，该MOSFET采用TO-263封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高效热管理。
　　FDB036N08还具备卓越的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作，提高系统可靠性。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电路，兼容多种控制器和驱动IC。此外，该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
　　在短路和过载条件下，FDB036N08具备一定的抗冲击能力，能够承受瞬时高电流而不损坏。这种特性使其在工业电机驱动、负载开关和高功率电源模块中表现出色。同时，该器件的封装设计优化了电流路径，降低了寄生电感，提高了高频开关性能。

应用

FDB036N08广泛应用于各种高功率密度和高效率的电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、服务器和电信电源模块、电池管理系统（BMS）、马达驱动器、负载开关和功率分配系统。由于其低导通电阻和高电流能力，FDB036N08也适用于需要高能效和高可靠性的工业自动化设备、嵌入式系统以及高性能计算设备的电源管理电路。