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FDA59N30 发布时间 时间:2025/5/22 16:37:59 查看 阅读:16

FDA59N30是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其封装形式通常为TO-220或DPAK,具体取决于制造商的设计。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:0.3Ω
  栅极电荷:40nC
  输入电容:1200pF
  总耗散功率:115W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

FDA59N30采用了先进的半导体制造工艺,使其具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,在高电流应用中可以减少发热和功耗。
  2. 高耐压能力,适合用于高压环境下的各种电路设计。
  3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗并提升工作效率。
  4. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。
  5. 封装坚固耐用,适用于表面贴装及传统插件安装方式。

应用

该MOSFET适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 负载开关和保护电路中的快速切换元件。
  5. 充电器、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06
  FDP59N30

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FDA59N30参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C59A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C56 毫欧 @ 29.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4670pF @ 25V
  • 功率 - 最大500W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3PN
  • 包装管件