类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：38A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为38mΩ（@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

FDA38N20是一款高性能的功率MOSFET，具有以下关键特性：
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在高电流条件下导通损耗大大降低，从而提高了系统的整体效率。在VGS=10V时，RDS(on)的典型值为38mΩ，这对于需要高效率的电源转换系统来说非常关键。
　　其次，该器件具备高达200V的漏源击穿电压（VDS），适用于多种高压应用场景，如工业电机驱动、DC-DC转换器、UPS系统以及太阳能逆变器等。此外，其栅源电压容限为±20V，确保了在各种驱动条件下的稳定性和可靠性。
　　第三，FDA38N20采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下维持较低的结温，从而提高器件的热稳定性和寿命。
　　此外，该MOSFET的封装设计也便于安装和散热管理，适合高功率密度设计。其200W的最大功耗能力使其在高温环境下也能保持良好的工作状态。
　　最后，FDA38N20在制造上采用了先进的平面沟槽技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。

FDA38N20广泛应用于多种高功率和高压电子系统中。首先，在电源管理系统中，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，以提高转换效率并降低损耗。
　　其次，在工业自动化和电机控制领域，FDA38N20可用于电机驱动电路、变频器以及伺服控制系统，提供高效的功率切换能力。
　　此外，该MOSFET还适用于不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能逆变器等能源管理系统，其高耐压和低导通电阻特性使其在这些高压、高电流环境下表现出色。
　　在汽车电子领域，FDA38N20也可用于车载充电器、电动车辆的功率管理系统以及其他需要高可靠性和高效能的汽车应用。
　　此外，该器件还常见于开关电源（SMPS）和LED照明驱动器中，支持高效率、高稳定性的电源转换。

FDPF38N20, FDB38N20, FQA38N20