FCX491TA 时间：2025/12/26 8:28:57 阅读：8

FCX491TA是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关模式电源、DC-DC转换器以及电机驱动等电路中。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持较高的效率。FCX491TA的封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适用于对空间要求较高的便携式电子设备。其设计注重热性能与电气性能的平衡，在保证可靠性的前提下实现了紧凑的布局。此外，该MOSFET具备良好的栅极电荷特性，有助于降低驱动损耗，提升系统整体能效。由于其优异的性价比和稳定性，FCX491TA常被用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域中的功率管理模块。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：4.6A
　　脉冲漏极电流（IDM）：18A
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：28mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：37mΩ
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷（Qg）@4.5V：8.5nC
　　输入电容（Ciss）：520pF
　　功率耗散（PD）：1W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOT-23

特性

FCX491TA采用先进的TrenchFET工艺制造，这种技术通过在硅片上形成垂直的沟道结构，显著提升了单位面积下的载流能力，从而实现了更低的导通电阻和更高的电流密度。该器件的典型导通电阻在VGS=4.5V时仅为28mΩ，这使得在大电流应用中功耗大幅降低，提高了系统的整体效率。同时，低RDS(on)也减少了发热，有利于提高长期运行的可靠性。其快速的开关特性得益于较低的栅极电荷（Qg=8.5nC）和输入电容（Ciss=520pF），使器件能够适应高频开关环境，如同步整流、DC-DC降压变换器等场景。
　　该MOSFET的栅源阈值电压范围为1.0V至2.0V，支持低压逻辑驱动，可直接由3.3V或5V微控制器IO口进行控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。此外，器件具备良好的热稳定性，在结温达到150°C时仍能稳定工作，适合在较恶劣的环境温度下使用。SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且具有较好的散热性能，配合PCB上的适当铜箔面积可有效传导热量。该器件还具备优良的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的自我保护，增强了电路的安全性。
　　在EMI性能方面，FCX491TA由于其快速但可控的开关边沿，配合外部栅极电阻调节，可以在噪声与效率之间取得良好平衡。它符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。综合来看，FCX491TA是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，特别适用于电池供电设备、便携式仪器、LED驱动电源以及各类中小功率开关电路中，是现代高效能电源管理系统中的理想选择之一。